(조세금융신문=박청하 기자) 조 바이든 미국 대통령과 윤석열 대통령이 20일 오후 삼성전자 평택 반도체 공장(평택 캠퍼스)을 찾은 가운데 이재용 삼성전자 부회장이 두 정상을 영접하고, 20여분간 공장 시찰에도 동행했다.

이 부회장은 이어진 환영 행사에선 한미 정상이 평택 공장을 방문한 데 대해 깊은 사의를 표명하고, 한미 간의 반도체 협력을 강조했다.

이 부회장은 영어로 "전세계에서 가장 크고 선진화된 제조 공장인 평택 반도체 캠퍼스에 오신 것을 환영한다"며 "삼성은 25년 전에 미국에서 반도체를 만든 최초의 글로벌 기업으로, 이런 우정을 존중하고 소중하게 생각하며 계속 발전시키길 기대한다"고 말했다.

이어 "반도체는 모든 것의 엔진이 되고 있으며 성장을 이끌고 많은 기회를 만들고 있다"며 "사람들이 인터넷에 접근할 수 있게 하고, 많은 지식의 데이터베이스에 접근할 수 있게 해주며 기업의 생산성을 높이고 있다"고 설명했다.

이 부회장은 그러면서 "이런 혁신은 여러분 덕에 가능하다"면서 전 세계 삼성 직원들에게 감사를 표한 뒤 윤 대통령과 바이든 대통령을 소개했다. 이날 공장 내부에 마련된 단상에는 바이든 대통령을 환영하는 의미에서 삼성전자 직원 가운데 미국 국적을 가진 30여명이 참석했다.

삼성 평택 공장은 축구장 400개를 합친 규모의 세계 최대 반도체 생산기지로, 차세대 메모리(D램·낸드)와 초미세 파운드리(반도체 위탁생산) 제품을 생산한다. 현재 평택 1라인과 2라인이 가동 중이며, 3라인은 공사 중이다. 두 정상은 1라인과 3라인을 찾아 반도체 공정과 시제품 등에 대한 설명을 들었다.

특히 삼성전자는 곧 세계 최초로 양산 예정인 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기반 3나노 반도체 시제품을 선보였고, 두 정상은 방명록 대신 이 반도체 웨이퍼에 서명했다. GAA는 기존 핀펫(FinFET) 기술보다 칩 면적은 줄이고 소비전력은 감소시키면서 성능은 높인 신기술로, 삼성전자는 GAA 기술을 적용해 대만의 TSMC보다 먼저 3나노 양산을 목표로 하고 있다.

삼성전자는 이런 최첨단 공정을 앞세워 미국의 퀄컴 등 팹리스(설계)들의 첨단 반도체 수요에 적극 대응한다는 계획이다. 또한 삼성전자는 미국 텍사스주 테일러시에 총 170억달러(약 20조원)를 투자해 신규 파운드리(반도체 위탁생산) 공장을 짓겠다고 발표했고, 조만간 착공을 앞둔 상태다.

바이든 대통령은 이날 연설에서 삼성전자의 테일러시 공장 투자에 대해 감사를 표한 뒤 "테일러시에서 세계 최고의 반도체들이 생산될 것으로 믿으며 이 투자를 통해 텍사스에 3천개의 새로운 첨단 일자리가 생기고, 삼성이 이미 미국에서 창출한 일자리 2만개에 더해질 것"이라고 말했다.

삼성은 바이든 대통령의 방한을 계기로 미국 내 반도체 업계에 520억달러(약 66조원)를 지원하기 위한 법안이 조속히 미 의회를 통과하고, 미국 파운드리 공장 건설도 탄력을 받기를 기대하고 있다.

이 부회장은 이번 행사의 중요성을 의식해 전날 평택 공장을 미리 찾아 동선을 점검하는 등 행사 준비에 만전을 기한 것으로 전해졌다.

경계현 삼성전자 DS(디바이스솔루션) 부문장(대표이사), 이정배 메모리사업부장, 박용인 S.LSI사업부장, 최시영 파운드리사업부장 등 반도체 부문 임원들과 삼성전기 장덕현 대표, 삼성디스플레이 최주선 대표, 삼성SDI 최윤호 대표 등 계열사 사장단도 평택에 집결했다.

이 부회장은 바이든 대통령 방한 둘째 날인 21일 저녁 국립중앙박물관에서 열리는 국빈 만찬에도 참석한다. 이 자리에는 이 부회장을 비롯한 10대 그룹 총수와 6대 경제단체장이 함께 참여할 예정이다.

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