(조세금융신문=김필주 기자) SK하이닉스가 세계 최초로 현존 최대 용량인 48GB(기가바이트가) 구현된 16단 HBM3E 개발을 공식화했다.

4일 SK하이닉스 곽노정 대표이사 사장은 이날 서울 삼성동 코엑스에서 열린 ‘SK AI 서밋(Summit) 2024’에서 ‘차세대 AI 메모리의 새로운 여정, 하드웨어를 넘어 일상으로’를 주제로 한 기조 연설을 통해 16단 HBM3E 세계 최초 개발을 알렸다. 
 
현재까지 HBM은 1세대(HBM)→2세대(HBM2)→3세대(HBM2E)→4세대(HBM3)→5세대(HBM3E) 순으로 개발됐다. 기존 12단 HBM3E의 용량은 3GB D램 단품 칩 12개를 적층한 36GB다.

이날 곽노정 사장은 “SK하이닉스는 현재 세계 최초로 개발·양산하고 있는 ‘월드 퍼스트(World First)’ 제품을 다양하게 준비 중”이라며 “최고의 경쟁력을 갖춘 ‘비욘드 베스트(Beyond Best)’ 제품을 계획하고 있다. 또 AI 시대에 시스템 최적화를 위한 ‘옵티멀 이노베이션(Optimal Innovation)’ 제품도 선보일 예정”이라고 밝혔다.

그러면서 “향후 HBM4부터 16단 시장이 본격적으로 열릴 것으로 보인다”면서 “이에 대비해 당사는 기술 안정성을 확보하고자 48GB 16단 HBM3E를 세계 최초로 개발 중이며 내년 초 고객에게 샘플을 제공할 계획”이라고 덧붙였다

또한 그는 “16단 HBM3E를 생산을 위해 당사는 12단 제품에서 양산 경쟁력이 입증된 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정을 활용할 방침”이라며 “이와함께 백업 공정으로써 하이브리드 본딩(Hybrid bonding) 기술도 함께 개발 중”이라고 알렸다.

SK하이닉스에 따르면 MR-MUF(Mass Reflow-Molded Under Fill) 공정은 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입한 뒤 굳히는 공정이다. 

칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 기존 방식과 비교해 공정이 효율적이고, 열 방출에도 효과적이라는게 SK하이닉스측 설명이다. 

SK하이닉스 관계자는 “당사의 어드밴스드 MR-MUF는 기존 공정보다 칩을 쌓을 때 가해지는 압력을 줄이고 휨 현상 제어(Warpage control)도 우수해 안정적인 HBM 양산성을 확보하는 데 핵심 기술로 작용하고 있다”고 전했다.

이외에도 곽노정 사장은 SK하이닉스가 다양한 신제품 개발에 매진 중이라고 밝혔다.

곽노정 사장에 의하면 SK하이닉스는 현재 저전력 고성능을 강점으로 향후 PC와 데이터센터에 활용될 것으로 전망되는 LPCAMM2 모듈을 개발을 진행 중이다. 또한 1cnm 기반 LPDDR5와 LPDDR6를 함께 개발하고 있다. 여기에 낸드에서는 PCIe 6세대 SSD와 고용량 QLC 기반 eSSD, UFS 5.0 등을 준비하고 있다.

특히 메모리 병목 현상을 극복하기 위해 메모리에 연산 기능을 더하는 PIM(Processing in Memory), 컴퓨테이셔널 스토리지(Computational Storage) 같은 기술 개발에 매진 중이다.

곽노정 사장은 “SK하이닉스는 ‘World First, Beyond Best, Optimal Innovation’ 세 방향성을 미래 발전의 가이드라인으로 삼고 고객과 파트너, 이해관계자들과의 긴밀한 다중(多重) 협력을 통해 ‘풀스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)’를 목표로 지속 성장하도록 노력을 다할 것”이라고 강조했다.

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