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삼성전자, 업계 최초 ‘1Tb QLC 9세대 V낸드’ 양산

이전 세대 QLC 제품 대비 쓰기 성능 100%, 데이터 입출력 속도 60% 개선

 

(조세금융신문=김필주 기자) 삼성전자가 AI시대 초고용량 서버SSD를 위한 ‘1Tb(테라비트) QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드’를 업계 최초로 양산했다고 12일 밝혔다.

 

앞서 지난 4월 삼성전자는 ‘TLC 9세대 V낸드’를 최초 양산한 바 있다. 삼성전자는 이번 QLC 제품까지 최초 양산에 성공하면서 향후 고용량·고성능 낸드플래시 시장 점유율도 선점한다는 계획이다. 

 

삼성전자측은 “9세대 V낸드는 독보적인 ‘채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)’ 기술을 활용해 더블 스택(Double Stack) 구조로 업계 최고 단수를 구현해냈다”며 “특히 이번 QLC 9세대 V낸드는 셀(Cell)과 페리(Peripheral)의 면적을 최소화해 이전 세대 QLC V낸드 대비 약 86% 증가한 업계 최고 수준의 비트 밀도(Bit Density)를 자랑한다”고 전했다.

 

삼성전자에 따르면 V낸드의 적층 단수가 높아질수록 층간, 층별 셀 특성을 균일하게 유지하는 것이 더욱 중요하다. 이에 삼성전자는 ‘디자인드 몰드(Designed Mold)’ 기술을 적극 활용했다.

 

‘디자인드 몰드’는 셀 특성 균일화, 최적화를 위해 셀을 동작시키는 WL(Word Line)의 간격을 조절해 적층하는 기술이다. 데이터 보존 성능을 이전 제품보다 약 20% 높여 제품 신뢰성을 향상시켰다는게 삼성전자측 설명이다.

 

또한 이번 9세대 QLC는 셀의 상태 변화를 예측해 불필요한 동작을 최소화하는 ‘예측 프로그램(Predictive Program) 기술’ 혁신을 통해 이전 세대 QLC 제품 대비 쓰기 성능은 100%, 데이터 입출력 속도는 60% 개선했다.

 

여기에 낸드 셀을 구동하는 전압을 낮추고 필요한 BL(Bit Line)만 센싱해 전력 소모를 최소화한 ‘저전력 설계 기술’을 통해 데이터 읽기, 쓰기 소비 전력도 각각 약 30%, 50% 감소했다.

 

허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실 부사장은 “9세대 TLC 양산 4개월 만에 9세대 QLC V낸드 양산에도 성공함에 따라 AI용 고성능, 고용량 SSD 시장이 요구하는 최신 라인업을 모두 갖췄다”며 “최근 AI향으로 수요가 급증하고 있는 기업용 SSD 시장에서 삼성전자의 리더십이 더욱 부각될 것”이라고 말했다.

 

 

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