(조세금융신문=김필주 기자) 삼성전자가 세계 최초로 업계 최고 성능 HBM4를 양산 출하했다. 삼성전자는 기세를 몰아 HBM4E도 올해 하반기 중 샘플 출하한다는 계획이다.

12일 황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 “삼성전자 HBM4는 기존 검증된 공정을 적용하던 전례를 깨고 1c D램 및 파운드리(Foundry) 4나노와 같은 최선단 공정을 적용했다”며 “공정 경쟁력과 설계 개선을 통해 성능 확장을 위한 여력을 충분히 확보함으로써 고객의 성능 상향 요구를 적기에 충족할 수 있었다”고 밝혔다.

삼성전자에 따르면 이번에 세계 최초로 양산 출하한 HBM4는 JEDEC 업계 표준인 8Gbps를 약 46% 상회하는 11.7Gbps의 동작 속도를 안정적으로 확보하면서 HBM4 성능의 새로운 기준을 제시했다.

이는 전작 HBM3E의 최대 핀 속도인 9.6Gbps 대비 약 1.22배 향상된 수치이며 최대 13Gbps까지 구현이 가능해 AI 모델 규모가 커질수록 심화되는 데이터 병목을 효과적으로 해소할 것이른게 삼성전자측 설명이다.

또 삼성전자의 HBM4는 단일 스택 기준 총 메모리 대역폭을 전작 HBM3E 대비 약 2.7배 향상된 최대 3.3TB/s 수준으로 끌어올려 고객사 요구 수준인 3.0TB/s를 상회하는 성능을 확보했다.

여기에 삼성전자가 양산 출하한 HBM4는 12단 적층 기술을 통해 24GB~36GB의 용량을 제공하한다. 삼성전자는 추후 고객사의 제품 일정에 맞춰 16단 적층 기술을 적용해 최대 48GB까지 용량을 확장한다는 전략이다.

◇ 삼성전자, 차세대 고대역폭 메모리 HBM4E도 올 하반기 샘플 출하 목표

삼성전자는 자체 보유한 파운드리 공정과 HBM 설계 간의 긴밀한 DTCO(Design Technology Co-Optimization) 협업을 통해 품질과 수율을 동시에 확보한 최고 수준의 HBM을 지속적으로 개발할 방침이다.

삼성전자측은 “당사는 선단 패키징 역량을 자체 보유하고 있어 공급망 리스크를 최소화하는 한편 생산 리드타임을 단축할 수 있는 경쟁력을 갖추고 있다”며 “이와함께 글로벌 주요 GPU 및 자체 칩을 설계·개발하는 차세대 ASIC 기반 하이퍼스케일러 고객사들로부터 HBM 공급 협력 요청을 지속적으로 받고 있는데 이들과의 기술 협력을 더욱 확대해 나갈 계획”이라고 설명했다.

이어 “오는 2028년부터 본격 가동될 평택사업장 2단지 5라인은 HBM 생산의 핵심거점으로 활용될 예정”이라며 “더불어 AI·데이터센터 중심의 중·장기 수요 확대 국면에서도 안정적인 공급 대응 역량을 지속적으로 확보해 나갈 것”이라고 덧붙였다.

삼성전자는 HBM4에 이어 HBM4E도 올 하반기에 샘플 출하를 한다는 계획이다. HBM4E는 HBM4의 기본구조를 기반으로 동작 속도·대역폭·전력 효율을 한층 끌어올린 차세대 고대역폭 메모리다.

또한 삼성전자는 Custom HBM도 2027년부터 고객사별 요구에 맞춰 순차 샘플링을 시작할 예정이다. Custom HBM는 고객의 AI 가속기·GPU 아키텍처에 맞춰 용량, 속도, 전력 특성, 인터페이스 등을 맞춤 설계한 고대역폭 메모리 제품.

표준화된 기존 제품과 다르게 고객별 연산 구조와 사용 환경에 최적화해 성능 효율을 극대화할 수 있는 것이 특징이다.

삼성전자는 이같은 시장 흐름과 전략에 기반해 올해 자사 HBM 매출이 2025년 대비 3배 이상 증가할 것으로 전망했다.

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