(조세금융신문=김필주 기자) 김경륜 삼성전자 메모리사업부 상품기획실 상무가 HBM(고대역폭 메모리) 시장 주도권 확보에 집중하겠다는 포부를 밝혔다.

삼성전자는 올해까지 HBM 관련 매출이 총 100억달러가 넘을 것으로 예상했다.

2일 김경륜 상무는 삼성전자 뉴스룸 기고문을 통해 “HBM3E 8단 제품이 지난달부터 양산에 돌입했다”며 “업계 내 고용량 제품에 대한 고객 니즈(요구) 증가세에 발맞춰 업계 최초로 개발한 12단 제품도 올 2분기 내 양산할 예정이다. 이에 램프업(생산량 확대) 또한 가속화할 계획”이라고 밝혔다.

그러면서 “삼성전자는 성장하는 생성형 AI용 수요 대응을 위해 HBM 캐파(생산력) 확대와 함께 지속적으로 공급을 늘려나갈 것”이라고 덧붙였다.

김경륜 상무는 올해 HBM 공급 개선과 함께 시장 수요도 증가할 것으로 내다봤다.

그는 “올해 하반기는 HBM 공급 개선으로 AI 서버 확산이 가속화될 뿐만 아니라 일반(컨벤셔널) 서버와 스토리지 수요도 증가하는 선순환이 뚜렷히 나타날 것”이라며 “2016년부터 올해까지 예상되는 총 HBM 매출은 100억달러가 넘을 것으로 전망된다”고 예측했다.

한편 삼성전자는 현재 HBM 4세대인 HBM3 시장을 선점한 SK하이닉스에 시장 주도권을 넘긴 상태다. 이에 삼성전자는 캐파 확대 및 초격차 기술력으로 5세대인 HBM3E 등 차세대 HBM 시장을 선점한다는 계획이다.

더불어 고객별 최적화된 ‘맞춤형 HBM’ 제품으로 주요 고객사들의 수요를 충족시키고 차세대 HBM 초격차를 위해 ‘종합 반도체’ 역량을 십분 활용한다는 방침이다.

김경륜 상무는 “HBM 제품은 D램 셀을 사용해 만든 코어 다이와 시스텝온칩(SoC)과의 인터페이스를 위한 버퍼 다이로 구성되는데 고객들은 버퍼 다이 영역에 대해 맞춤형 IP 설계를 요청할 수 있다”며 “이는 HBM 개발·공급을 위한 비즈니스 계획에서부터 D램 셀 개발, 로직 설계, 패키징·품질 검증에 이르기까지 전 분야에서 차별화·최적화가 주요 경쟁 요인이 될 것임을 의미한다”고 설명했다.

이어 “차세대 HBM 초격차 달성을 위해 메모리와 함께 파운드리, 시스템LSI, 어드밴스드 패키징(AVP)의 차별화된 사업부 역량과 리소스(자원)를 총 집결해 경계를 뛰어넘는 차세대 혁신을 주도해 나갈 예정”이라며 “업계에서 단시간에 따라올 수 없는 종합 반도체 역량을 바탕으로 AI 시대에 걸맞은 최적의 솔루션을 지속적으로 선보일 것”이라고 강조했다.

삼성전자는 올해 초부터 각 사업부별 우수 엔지니어들을 한데 모아 차세대 HBM 전담팀을 구성해 맞춤형 HBM 최적화를 위한 연구개발에 매진하고 있다.

또한 D램 기술 초격차 유지를 위해 10나노 이하 D램에 수직 채널 트랜지스터(VCT)를 활용하는 새로운 구조에 대한 선제적인 연구 개발을 진행 중이며 오는 2030년 3D D램 상용화에 나선다는 전략이다.

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